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2024年10月22日 10:54:44
三星計劃年底前建成首條1c DRAM產線
《科創(chuàng)板日報》22日訊,三星電子計劃在今年年底前建成第一條1c DRAM(第六代10納米級DRAM)量產線,三星電子決定使用1c DRAM作為第六代HBM和HBM4的核心芯片,并計劃于明年底發(fā)布。 (ZDNet)
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