①SK海力士CEO表示,公司按量產(chǎn)計劃2025年生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品基本售罄。 ②集邦咨詢預計2023年-2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均將大幅向上。 ③國內(nèi)方面,機構認為,需求疊加技術創(chuàng)新周期,HBM原廠、先進封裝、半導體設備、半導體材料等環(huán)節(jié)公司均有望持續(xù)受益。
《科創(chuàng)板日報》5月6日訊 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷今日表示,今年第二季已開始針對2025年HBM進行議價,不過受限于DRAM總產(chǎn)能有限,為避免產(chǎn)能排擠效應,供應商已經(jīng)初步調(diào)漲5%-10%,包含HBM2e,HBM3與HBM3e。
對于議價時間提前到今年二季度,集邦咨詢表示其原因包括:一是因為HBM買方對AI需求展望仍具高度信心,愿意接受價格續(xù)漲;二是因為HBM3e的TSV良率目前僅約40%-60%,因此買方愿意接受漲價以鎖定質(zhì)量穩(wěn)定的貨源;三是因為未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應商的可靠度,以及供應能力產(chǎn)生價差,對于供應商而言,未來平均銷售單價將會因此出現(xiàn)差異,并進一步影響獲利。
毫無疑問,AI熱度的攀升導致HBM產(chǎn)銷走俏。在近日的媒體招待會上,HBM龍頭企業(yè)SK海力士CEO表示,公司按量產(chǎn)計劃2025年生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品基本售罄,主要由于AI爆發(fā)對先進存儲產(chǎn)品HBM的需求。此前,公司宣布其2024年HBM的產(chǎn)能已被客戶搶購一空。
另一存儲巨頭三星電子也在緊鑼密鼓的推進HBM3e的量產(chǎn)。公司4月30日表示,目前正供應12層堆疊HBM3E內(nèi)存——36GB HBM3E 12H DRAM樣品,計劃今年二季度量產(chǎn),其8層堆疊的HBM3 8H已開始初步量產(chǎn)。SK海力士的12層堆疊HBM3e內(nèi)存也有望于三季度完成。
整體行業(yè)規(guī)模方面,SK海力士認為,目前像HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲器在2023年整個存儲市場的占比約為5%,預計到2028年可以達到61%。
集邦咨詢也預計2023年-2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均將大幅向上。產(chǎn)能方面,2023年至2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%,至2025年占比預估將超過10%。產(chǎn)值方面,2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%,至2025年占比有機會逾三成。
中信證券在近期研報中指出,預計2024年、2025年全球HBM容量需求年化增長超100%,占DRAM總容量需求將從2023年的不足1%增長至超5%。國內(nèi)方面,機構認為后續(xù)在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下,國內(nèi)DRAM存儲原廠有望跟進HBM產(chǎn)品,對半導體設備產(chǎn)生增量需求。綜合來看,在需求與疊加技術創(chuàng)新周期的雙重疊加下,HBM原廠、先進封裝、半導體設備、半導體材料等環(huán)節(jié)公司均有望持續(xù)受益。