《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》3月19日訊（編輯 宋子喬） 在今天的英偉達(dá)GTC 2024大會(huì)上，英偉達(dá)CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時(shí)候上市。

作為英偉達(dá)唯一HBM3供應(yīng)商，SK海力士隨即發(fā)布新聞稿，宣布已開(kāi)始量產(chǎn)高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E，將從3月下旬起向客戶供貨。七個(gè)月前，該公司公布了HBM3E開(kāi)發(fā)成功的消息。

SK海力士HBM3E

據(jù)路透最新報(bào)道，消息人士稱首批出貨量將交付給英偉達(dá)。有分析師表示，SK海力士的HBM產(chǎn)能在2024年已被預(yù)訂滿，因?yàn)槿斯ぶ悄苄酒谋ㄐ孕枨笸苿?dòng)了高端存儲(chǔ)芯片的需求。IBK Investment & Securities分析師Kim Un-ho表示：“SK海力士已經(jīng)占據(jù)了絕對(duì)的市場(chǎng)地位……其高端存儲(chǔ)芯片的銷量增長(zhǎng)預(yù)計(jì)也將是芯片制造商中最為積極的?！?/p>

HBM（高速寬帶存儲(chǔ)器）是面向AI的超高性能DRAM產(chǎn)品，也是當(dāng)下存儲(chǔ)廠商的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，該存儲(chǔ)器供應(yīng)市場(chǎng)由SK海力士（53%）、三星（38%）和美光（9%）三大存儲(chǔ)巨頭主導(dǎo)。

通過(guò)垂直連接多個(gè)DRAM，HBM可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度，實(shí)現(xiàn)小體積、高帶寬和高速傳輸，滿足高性能AI服務(wù)器GPU需求。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開(kāi)發(fā)。HBM3E是HBM3的擴(kuò)展（Extended）版本，為當(dāng)下最強(qiáng)大的HBM產(chǎn)品。

在HBM最新產(chǎn)品的競(jìng)逐賽中，SK海力士再次奪得先機(jī)，是首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)HBM3E的供應(yīng)商。SK海力士在聲明中表示：“公司預(yù)計(jì)HBM3E能夠成功量產(chǎn)，憑借作為業(yè)界首家HBM3供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)，我們希望鞏固我們?cè)谌斯ぶ悄軆?nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

SK海力士推出的HBM3E芯片有何性能優(yōu)勢(shì)？

據(jù)該公司介紹，SK海力士采用了先進(jìn)的MR-MUF（Molding with Rubberand UFP）技術(shù)，使得HBM3E的散熱性能比上一代產(chǎn)品提高10%。這種技術(shù)通過(guò)在半導(dǎo)體芯片堆疊后的空間中注入液體形態(tài)的保護(hù)材料并進(jìn)行固化，與每堆疊一個(gè)芯片時(shí)鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效；

其HBM3E的最高數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)每秒1.18TB（太字節(jié)），這意味著它能夠在極短的時(shí)間內(nèi)處理大量數(shù)據(jù)。相當(dāng)于在1秒內(nèi)處理230部全高清（FHD）級(jí)別的電影；

另外，其HBM3E提供高達(dá)8Gbps的傳輸速度，這是相較于前一代HBM3的顯著提升。這種高速度對(duì)于需要快速數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)景，如高性能計(jì)算和人工智能，尤為重要。

值得注意的是，HBM3E領(lǐng)域，美光、三星緊追不舍，這兩家公司均表示已開(kāi)始批量生產(chǎn)該款芯片。其中，美光計(jì)劃在2024年第二季度開(kāi)始出貨，其HBM3E將用于英偉達(dá)的H200 Tensor Core GPU；三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款12棧HBM3E芯片，并開(kāi)始向客戶提供樣品，預(yù)計(jì)今年上半年量產(chǎn)。